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[其他] CMOS集成电路基本知识点罗列

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发表于 2020-4-24 14:45:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
目前数字集成电路按导电类型可分为双极型集成电路(主要为TTL)和单极型集成电路(CMOS、NMOS、PMOS等)。CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。

CMOS集成电路的简介

CMOS互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC(Complementary MOS Integrated CIRcuit)。

CMOS集成电路的性能特点

· 微直流功耗 — CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
· 高噪声容限 — CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
· 宽工作电压范围 — CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。
· 高逻辑摆幅 — CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的“1”为VDD,逻辑“0”为VSS。
· 高输入阻抗 — CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。
· 高扇出能力 — CMOS电路的扇出能力大于50。   
· 低输入电容— CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。      

宽工作温度范围 — 陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为 - 55 0C ~ 125 0C;塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。      
所有的输入均有删保护电路,良好的抗辐照特性等。

CMOS与TTL的比较

CMOS发展比TTL晚,但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL。以下比较两者性能,大家就知道其原因了。
1.CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成
2.CMOS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差
4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)
5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

CMOS集成电路的使用注意事项

1、CMOS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
2、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。
3、当接长信号传输线时,在CMOS电路端接匹配电阻。
4、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5、CMOS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏CMOS。    




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发表于 2020-4-25 11:18:53 | 显示全部楼层
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发表于 2020-4-27 08:50:11 | 显示全部楼层
谢谢,学习一下
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发表于 2020-4-27 11:29:59 | 显示全部楼层
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发表于 2020-5-9 11:16:49 | 显示全部楼层
CMOS集成电路估计能用在机器人上把
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发表于 2020-5-23 20:25:30 | 显示全部楼层
做个 笔记
· 微直流功耗 — CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
· 高噪声容限 — CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
· 宽工作电压范围 — CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。
· 高逻辑摆幅 — CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的“1”为VDD,逻辑“0”为VSS。
· 高输入阻抗 — CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。
· 高扇出能力 — CMOS电路的扇出能力大于50。   
· 低输入电容— CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。  
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发表于 2020-5-29 11:29:09 | 显示全部楼层
发点新的CMOS集成电路好吗
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发表于 2020-5-31 21:32:52 | 显示全部楼层
1.CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成
2.CMOS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差
4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)
5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

学习了
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